Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP12NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP12NM60N
STP12NM60N Hakkında
STP12NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 10A sürekli akım özellikleri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi sayesinde montajı kolaydır. Gate threshold voltajı 4V'da 250µA akımda gerçekleşir. RDS(on) değeri 10V gate voltajında 5A akımda 410mOhm'dur. Maksimum 90W güç tüketimi ile endüstriyel uygulamalarda, güç kontrolü devrelerinde ve switch uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok