Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP12NK80Z

MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP12NK80Z

STP12NK80Z Hakkında

STP12NK80Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 10.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketine sahip olan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, invertörler, konvertörler ve motor kontrol sistemlerinde uygulanır. 750mOhm @ 10V gate geriliminde RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 190W maksimum güç dağıtabilir. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür. Standart endüstriyel ve aydınlatma uygulamaları için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok