Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP12N65M5
STP12N65M5 Hakkında
STP12N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V yüksek gerilim dayanımı ve 8.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücü, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve indüktif yük sürücülerinde kullanılmaktadır. 10V gate sürüş geriliminde 430mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 22nC gate yükü ve düşük giriş kapasitansı (900pF @ 100V) hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. ±25V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 70W güç disipasyonuna uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok