Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP12N60M2
STP12N60M2 Hakkında
STP12N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, 450mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Gate charge 16nC, input capacitance ise 100V'de 538pF'dir. ±25V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel invertörler, UPS sistemleri, AC-DC konvertörleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 85W maksimum güç dissipasyonu ile güç elektroniği uygulamalarında güvenilir bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 538 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok