Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP12N120K5

STP12N120K5 Hakkında

STP12N120K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 690mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipinde monte edilen bu bileşen, güç invertörleri, çevirici devreleri, motorlar kontrol uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 250W güç dissipasyonu tolerans gösterir. 44.2nC gate charge ve 1370pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok