Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11NM80
STP11NM80 Hakkında
STP11NM80, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V Drain-Source gerilim kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli drenaj akımı ve 400mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverter sistemlerinde kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek verimli güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilen bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok