Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11NM60ND
STP11NM60ND Hakkında
STP11NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 450mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük ısıl kayıplı komütasyon sağlar. 30nC gate charge ve 850pF input kapasitans özellikleri hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında 90W güç dağıtabilir. Uygulamalar arasında değişken hız sürücüsü, güç kaynağı tasarımları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemleri yer alır. ±25V maksimum gate-source voltajı ve 5V gate-source anahtarlama voltajı ile geniş kontrolör uyumluluğu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok