Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11NM60N
STP11NM60N Hakkında
STP11NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel güç MOSFET'idir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10A sürekli dren akımı ve 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 600V dren-kaynak gerilim desteği sayesinde yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde, SMPS (Switched-Mode Power Supply) tasarımlarında, motor kontrol uygulamalarında ve güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. 31nC gate charge ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile düşük kayıp ve güvenilir işletme sağlar. Maksimum 90W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok