Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP11NM60FP

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STP11NM60FP

STP11NM60FP Hakkında

STP11NM60FP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 10V gate voltajında 450mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 35W maksimum güç tüketimi ile güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükler için uygun uygulamalar bulur. 30nC gate charge ve 1000pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok