Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11NM60A
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11NM60A
STP11NM60A Hakkında
STP11NM60A, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ve 450mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. 110W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim güç kontrol uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel inverter tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde zorlu çevre koşullarında güvenilir performans sunar. Gate charge karakteristiği ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1211 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok