Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11NM50N
STP11NM50N Hakkında
STP11NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 8.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 470mΩ maksimum on-dirençi (Rds On) ile verimli komütasyon sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) stabil performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, invertör devreleri, motor kontrol ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. 70W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 19nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 547 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok