Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11N65M5
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11N65M5
STP11N65M5 Hakkında
STP11N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 480mOhm maksimum RDS(on) değeri ile minimum güç kaybı sağlar. 85W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama hızlı ve güvenilir olan bu transistör, akım kaynakları, UPS sistemleri, motor denetim devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 644 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok