Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11N65M2
STP11N65M2 Hakkında
STP11N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 7A sürekli drain akım özelliğine sahiptir. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 670mΩ on-direnci ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 85W güç tüketebilir. Gate charge değeri 10V'ta 12.5nC'dir. Input kapasitansı (Ciss) 100V'ta 410pF olup, Vgs threshold voltajı 250µA'da 4V'tur. Bu MOSFET, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapan güç elektronikleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok