Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP11N60DM2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP11N60DM2
STP11N60DM2 Hakkında
STP11N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 10A sürekli drenaj akımına sahip olan bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. 420mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 110W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile SMPS, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve koruma devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 614 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok