Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP11N52K3

MOSFET N-CH 525V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP11N52K3

STP11N52K3 Hakkında

STP11N52K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 525V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertör devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve switching güç elektronik sistemlerinde tercih edilir. 510mΩ @ 5A, 10V RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 125W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Through-hole montaj türü ile klasik PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 510mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok