Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP110N55F6

MOSFET N-CH 55V 110A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP110N55F6

STP110N55F6 Hakkında

STP110N55F6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source geriliminde 110A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajına uygun olarak tasarlanmıştır. 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak enerji verimliliğine katkı sunar. Gate charge 120nC ve giriş kapasitansi 8350pF değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 150W güç hızlama kapasitesi sunar. Güç kaynakları, motor kontrolü, şarj devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok