Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP110N10F7
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP110N10F7
STP110N10F7 Hakkında
STP110N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 110A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 7mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. TO-220-3 paketinde montajlanan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 150W maksimum güç dağıtabilir. 60nC gate charge ve 5500pF input kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok