Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP10P6F6

MOSFET P-CH 60V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP10P6F6

STP10P6F6 Hakkında

STP10P6F6, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, AC-DC konvertörlerde ve yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 160mOhm tipik kanal direnci (RDS(on)) ile düşük ısıl kayıp sağlar. ±20V kapıya uygulanabilen voltaj aralığı ve 4V eşik voltajı ile standart sinyal seviyeleri ile uyumludur. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 30W güç dissipasyon kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 48 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok