Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STP10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STP10NM60ND
STP10NM60ND Hakkında
STP10NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 600mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve invertör devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Gate yükü 20nC @ 10V'dur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 577 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok