Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP10N80K5

MOSFET N-CH 800V 9A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP10N80K5

STP10N80K5 Hakkında

STP10N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilir, maksimum 600mOhm on-state direnci ile iletim kayıplarını sınırlar. 130W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 635 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok