Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP10N65K3

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP10N65K3

STP10N65K3 Hakkında

STP10N65K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. 10A sürekli drain akımı kapasitesi ve 150W maksimum güç tüketimi ile orta güç seviyesi anahtarlama görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde monte edilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, çevirici uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yer alır. 1Ω Rds(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 42nC olup hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok