Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STP10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
STP10LN80K5

STP10LN80K5 Hakkında

STP10LN80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve diğer güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 630mΩ maksimum gate-source direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlara uygun olup, 110W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 427 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok