Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STO68N65DM6
N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STO68N65DM6
STO68N65DM6 Hakkında
STO68N65DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ve 55A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 65mOhm tipik on-state direnç (Rds On) ile enerji kayıplarını minimize eder. ±25V gate gerilimi aralığında çalışan bu bileşen, 80nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 240W güç disipasyonu kapasitesine sahip transistör, endüstriyel inverters, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve switched-mode power supplies (SMPS) gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-pin PowerSFN yüzey monte paketinde tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3528 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TOLL (HV) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok