Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STO65N60DM6
N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STO65N60DM6
STO65N60DM6 Hakkında
STO65N60DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 46A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 10V gate geriliminde 76mOhm tipik RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Gate eşik gerilimi 4.75V'dir. 320W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak uygulamaları ve SMPS tasarımlarında kullanılır. 8-pin PowerSFN yüzey montaj paketiyle sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 320W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | TOLL (HV) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok