Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STN6N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2

Paket/Kılıf
TO-261-3
Seri / Aile Numarası
STN6N60M2

STN6N60M2 Hakkında

STN6N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.25Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. SOT-223-2 yüzey montajı paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürme gerilimi ile standart kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok