Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STN3P6F6

MOSFET P-CH 60V SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
STN3P6F6

STN3P6F6 Hakkında

STN3P6F6, STMicroelectronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj sınırlaması ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile entegre devrelerde anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey monte paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. 10V kapı-kaynak voltajında 160mOhm on-resistance değeri ile güç tüketimini sınırlı düzeyde tutabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve düşük gate charge değeri (6.4nC) ile yüksek frekans uygulamalarında ve pil yönetim sistemlerinde tercih edilir. Industrial ve consumer elektronik uygulamalarında batarya koruma devreleri, motor kontrol ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 48 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok