Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STN2NE10L
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STN2NE10L
STN2NE10L Hakkında
STN2NE10L, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-223 yüzey montajlı paket ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 5V ve 10V drive voltajlarında 400mOhm maksimum on-direnç değerine ulaşır. 14nC gate charge ve 345pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır ve 2.5W güç dağıtabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüsü ve DC-DC dönüştürücüler gibi düşük voltajlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 345 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok