Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STN2NE10

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
STN2NE10

STN2NE10 Hakkında

STN2NE10, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ile 2A sürekli drain akımı sağlayabilir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 400mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı olup, 2.5W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar. LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. Dikkat: Ürün yaşlı teknoloji olarak sınıflandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok