Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STN1N20

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
STN1N20

STN1N20 Hakkında

STN1N20, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 1A sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalar için uygundur. 1.5Ω maksimum RDS(On) değeri ile 10V kapı geriliminde düşük on-direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve genel amaçlı elektronik kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 2.9W güç saçabilir. Vgs(th) eşik gerilimi 250µA'da 5V'tur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok