Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STN1HNK60

MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
STN1HNK60

STN1HNK60 Hakkında

STN1HNK60, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 8.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışır. ±30V gate gerilim kapasitesi sayesinde çeşitli sürücü seviyeleri ile uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, SMPS (Switched Mode Power Supplies), hızlı anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve koruma devrelerinde tercih edilir. SOT-223 SMD paketinde sunulur ve kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 156 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok