Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STLD200N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STLD200N4F6AG
STLD200N4F6AG Hakkında
STLD200N4F6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 120A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerFlat (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, 1.5mOhm (maksimum) on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 158W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) Dual Side |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok