Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STLD125N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STLD125N4F6AG
STLD125N4F6AG Hakkında
STLD125N4F6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama özelliği sunar. PowerFlat paket ile kompakt tasarım ve iyileştirilmiş ısıl yönetim sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, inverterler ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 130W güç dağıtımına kadir bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) Dual Side |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok