Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL9N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL9N60M2
STL9N60M2 Hakkında
STL9N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 4.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerFlat (5x6) HV paketinde sunulan bu bileşen, 860mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. 10V gate sürücü geriliminde çalışan cihaz, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. ±25V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş uygulamalar alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 860mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok