Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL8N10F7

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL8N10F7

STL8N10F7 Hakkında

STL8N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 35A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerFlat 8-pin paket içerisinde yerleştirilmiş olup yüzey monte teknolojisi ile kullanılmaktadır. Maksimum 20mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ile kontrol edilir ve 4.5V threshold gerilime sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok