Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL4N10F7

MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL4N10F7

STL4N10F7 Hakkında

STL4N10F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim yeteneğine sahip olan bu bileşen, 4.5A (Ta) ve 18A (Tc) sürekli drenaj akımında çalışır. PowerFlat (3.3x3.3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan transistör, düşük 70mOhm on-dirençi (Rds On) sayesinde enerji yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve enerji dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 7.8nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 408 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.25A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok