Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL3NM60N
STL3NM60N Hakkında
STL3NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 650mA (Ta) / 2.2A (Tc) sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerFlat paketinde (3.3x3.3mm) sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri (1A, 10V) ile verimli iletim sağlar. 9.5nC gate charge ve 188pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon kabiliyetine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 650mA (Ta), 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 188 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok