Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL3N65M2
STL3N65M2 Hakkında
STL3N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.8Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile güç kaybı minimize edilir. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve AC-DC dönüştürücüler gibi enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. PowerFlat 8-pin (3.3x3.3mm) SMD paketinde sunulan STL3N65M2, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 22W güç harcayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 155 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok