Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL26NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL26NM60N

STL26NM60N Hakkında

STL26NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 19A drain akımı (Tc) ve 185mOhm RDS(on) değeri ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerFlat 8x8 paketinde sunulan bu bileşen, 60nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SMPS (Switched Mode Power Supply), güç dönüştürücüler, UPS sistemleri ve industrial kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve -40°C ile 150°C arasında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta), 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125mW (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok