Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL26N65DM2
STL26N65DM2 Hakkında
STL26N65DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevlerini gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 206mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerFlat™ (8x8) HV paket tipinde gelen komponent, endüstriyel konverterler, adaptörler, solar inverterler ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 140W güç disipasyonu kapasitesine ve 35.5nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 206mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok