Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL24N60M2

STL24N60M2 Hakkında

STL24N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. 18A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu transistör, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 210mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerFlat™ 8x8 HV paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun kompakt form faktörü sunmaktadır. Maksimum 125W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. ±25V maksimum Gate-Source gerilim ile geniş kontrol aralığı ve 29nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlayan bu bileşen, 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında stabil çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok