Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL22N60M6

MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL22N60M6

STL22N60M6 Hakkında

STL22N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 10A sürekli drenaj akımı ve 250mΩ (10V, 5A'de) düşük on-resistance ile tasarlanmıştır. PowerFlat™ (5x6) HV yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, invertörler ve yüksek voltaj motor kontrol devrelerinde kullanılır. ±25V maksimum gate voltajı, 4.75V threshold voltajı ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile güvenilir performans sağlar. 57W maksimum güç kaybı yeteneğine sahip olan STL22N60M6, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok