Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL225N6F7AG

MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL225N6F7

STL225N6F7AG Hakkında

STL225N6F7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ile 120A sürekli drenaj akımını desteklemektedir. 1.4mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerFlat (5x6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 98nC gate charge ve 6500pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon garantiler. 188W maksimum güç saçılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok