Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL19N60M6
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL19N60M6
STL19N60M6 Hakkında
STL19N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerFlat™ 8x8 HV paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverter devreler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde yaygın olarak yer alır. 308mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 308mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok