Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL19N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL19N60M2
STL19N60M2 Hakkında
STL19N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 90W güç dağılımı kapasitesi ve düşük 21.5nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. PowerFlat 8x8 HV paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel enerji yönetimi devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 791 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok