Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STL19N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STL19N60DM2
STL19N60DM2 Hakkında
STL19N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. PowerFlat (8x8) HV paketinde sunulan bu bileşen, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS), güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 320mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ~ 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 90W maksimum güç tüketimini tolere eder. Surface Mount montajı ile modern PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok