Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL190N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL190N4F7AG

STL190N4F7AG Hakkında

STL190N4F7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerFlat 5x6mm yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 127W güç dissipasyonuna dayanabilir. 10V kapı sürücü voltajında optimal performans gösterir ve 41nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok