Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL18N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL18N65M2

STL18N65M2 Hakkında

STL18N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilim dayanımı ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 365mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerFlat™ HV paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C jonksiyon sıcaklığında çalışabilir ve 57W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 764 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 365mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok