Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL18N60M6

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL18N60M6

STL18N60M6 Hakkında

STL18N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 9A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 308mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük kayıp işletimini sağlar. PowerFlat HV paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. İnverter devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektrik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 16.8nC gate charge ve 650pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 308mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok