Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL18N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL18N60M2

STL18N60M2 Hakkında

STL18N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Sürekli dren akımı 9A olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması işlevi görmektedir. 308mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PowerFlat™ 5x6 yüksek voltaj paketinde sunulan STL18N60M2, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±25V maksimum gate voltajı ve 150°C işletme sıcaklığı ile geniş çalışma aralığına sahiptir. Surface mount montajı nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 791 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 308mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (5x6) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok