Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STL18N55M5

MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
STL18N55M5

STL18N55M5 Hakkında

STL18N55M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source voltajı ve 2.4A sürekli drenaj akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. PowerFlat 8x8 paketinde sunulan bu bileşen, 270mOhm maksimum drain-source direnci (10V, 6A'da) ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. ±25V gate voltajı kapasitesi ve 31nC gate şarjı ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. Maximum 90W güç tüketimi kapasitesi (Tc'de) ve 150°C çalışma sıcaklığı, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montajı ve kompakt yapısı PCB tasarımında yer tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1352 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok